光譜電化學(xué)池的基本條件
發(fā)布日期：2017-07-04 瀏覽次數(shù)：1375
光譜電化學(xué)池技術(shù)，按電極附近的厚度又可分為薄層光譜電化學(xué)方法和半無(wú)限擴(kuò)散光譜電化學(xué)方法。薄層光譜電化學(xué)方法涉及的是電解池內(nèi)電活性物質(zhì)的耗竭性電解。一般外加電激發(fā)信號(hào)的激發(fā)時(shí)間比較長(zhǎng)，列如采用電勢(shì)階躍實(shí)驗(yàn)時(shí)，采用較長(zhǎng)的階躍時(shí)間；如果采用循環(huán)伏安掃描試驗(yàn)，則采用較慢的電勢(shì)掃描速率等。而半無(wú)限擴(kuò)散光譜電化學(xué)方法，如果電解時(shí)間過長(zhǎng)易引起濃度梯度而導(dǎo)致溶液對(duì)流，一般采用較短的電激發(fā)時(shí)間，常用的電激發(fā)信號(hào)有單電勢(shì)階躍，單電勢(shì)開路弛豫,線性電勢(shì)掃描和恒電流方法。
光譜電化學(xué)池是將光譜技術(shù)原位或非原位地用于研究電極/溶液界面的一種電化學(xué)方法。這類研究方法通常以電化學(xué)技術(shù)為激發(fā)信號(hào)的同時(shí)可以檢測(cè)大量光學(xué)信號(hào)，獲得電極/溶液界面分子水平的，實(shí)時(shí)的信息。通過電極反應(yīng)過程中電信息和光信息的同時(shí)測(cè)定，可以研究電極反應(yīng)的機(jī)理，電極表面特性，鑒于參與反應(yīng)的中間體和產(chǎn)物性質(zhì)，測(cè)定電對(duì)的克式量電位，電子轉(zhuǎn)移數(shù)，電極反應(yīng)速率常數(shù)以及擴(kuò)散系數(shù)等。光譜電化學(xué)方法可以用于電活性,非電活性物質(zhì)的研究，用于電化學(xué)研究的光譜技術(shù)有紅外光譜，紫外可見光譜，拉曼光譜和熒光光譜。
光譜電化學(xué)池的基本條件，將兩種活潑性不同的金屬（即一種是活潑金屬一種是不活潑金屬），或著一種金屬與石墨（Pt和石墨為惰性電極，即本身不會(huì)得失電子）等惰性電極插入電解質(zhì)溶液中。用導(dǎo)線連接后插入電解質(zhì)溶液中，形成閉合回路。要發(fā)生自發(fā)的氧化還原反應(yīng)。原電池工作原理，原電池是將一個(gè)能自發(fā)進(jìn)行的氧化還原反應(yīng)的氧化反應(yīng)和還原反應(yīng)分別在原電池的負(fù)極和正極上發(fā)生，從而在外電路中產(chǎn)生電流。
